1PS76SB10-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
1PS76SB10-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向平均电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)为30V。 其正向压降(VF)典型值为0.8V, 有助于降低导通损耗; 在常温下反向漏电流(IR)仅为2μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受最高0.6A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于低电压、高效率要求的整流、箝位、保护及高频信号处理等电路应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
200
货期
现货
1PS76SB10-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 200 |
1PS76SB10-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向平均电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)为30V。 其正向压降(VF)典型值为0.8V, 有助于降低导通损耗; 在常温下反向漏电流(IR)仅为2μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受最高0.6A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于低电压、高效率要求的整流、箝位、保护及高频信号处理等电路应用。
1PS76SB10-HXY特性
暂无产品特性。
1PS76SB10-HXY应用领域
暂无应用领域。
