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1PS76SB10-HXY
IC

SOD-323

可供量大可议

1PS76SB10-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向平均电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)为30V。 其正向压降(VF)典型值为0.8V, 有助于降低导通损耗; 在常温下反向漏电流(IR)仅为2μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受最高0.6A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于低电压、高效率要求的整流、箝位、保护及高频信号处理等电路应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

200

货期

现货

1PS76SB10-HXY参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类肖特基二极管
库存200

1PS76SB10-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向平均电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)为30V。 其正向压降(VF)典型值为0.8V, 有助于降低导通损耗; 在常温下反向漏电流(IR)仅为2μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受最高0.6A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于低电压、高效率要求的整流、箝位、保护及高频信号处理等电路应用。

1PS76SB10-HXY特性

暂无产品特性。

1PS76SB10-HXY应用领域

暂无应用领域。

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