1N60L-T92-K
IC
TO-92
可供量大可议
1N60L-T92-K
N沟道, 600V, 1.2A, 11.5Ω@10V
品牌
UTC
封装
TO-92
库存
1,000
货期
现货
1N60L-T92-K参数
| 封装 | TO-92 |
|---|---|
| 品牌 | UTC(友顺) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
| 商品型号 | 1N60L-T92-K |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000343 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1000 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 150pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:600V 电流:1.2A |
| 包装方式 | 袋装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
1N60L-T92-K概述
UTC 1N60是一款高压MOSFET, 具备更佳的特性, 如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。 这款功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥接电路等高速开关应用。
1N60L-T92-K特性
- RDS(ON) < 11.5 Ω@VGS = 10 V, ID = 0.6 A
- 超低栅极电荷(典型值5.0 nC)
- 低反向传输电容(CRSS = 典型值3.0 pF)
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力, 高耐用性
1N60L-T92-K应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效DC
- DC转换器
- 桥接电路