1N60G-AA3-R
IC
SOT-223
可供量大可议
1N60G-AA3-R
场效应管(MOSFET) 8W 600V 1A 1个N沟道
品牌
UTC
封装
SOT-223
库存
19,945
货期
现货
1N60G-AA3-R参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | UTC(友顺) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 115pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 17.5pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19,945 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 耗散功率(Pd) | 8W |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF |
| 类型 | N沟道 |
1N60G-AA3-R概述
场效应管(MOSFET) 8W 600V 1A 1个N沟道
1N60G-AA3-R特性
暂无产品特性。
1N60G-AA3-R应用领域
暂无应用领域。