1N5820G
IC
DO-201AD
可供量大可议
1N5820G
该系列采用肖特基势垒原理, 应用于大面积金属硅功率二极管。 其先进的几何结构采用了铬势垒金属、具有氧化物钝化和金属重叠接触的外延结构。 非常适合用作低压、高频逆变器中的整流器、续流二极管和极性保护二极管。
品牌
onsemi
封装
DO-201AD
库存
3,368
货期
现货
1N5820G参数
| 封装 | DO-201AD |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 3368 |
1N5820G概述
该系列采用肖特基势垒原理, 应用于大面积金属硅功率二极管。 其先进的几何结构采用了铬势垒金属、具有氧化物钝化和金属重叠接触的外延结构。 非常适合用作低压、高频逆变器中的整流器、续流二极管和极性保护二极管。
1N5820G特性
暂无产品特性。
1N5820G应用领域
暂无应用领域。
