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1N5820G
IC

DO-201AD

可供量大可议

1N5820G

该系列采用肖特基势垒原理, 应用于大面积金属硅功率二极管。 其先进的几何结构采用了铬势垒金属、具有氧化物钝化和金属重叠接触的外延结构。 非常适合用作低压、高频逆变器中的整流器、续流二极管和极性保护二极管。

品牌

onsemi

封装

DO-201AD

库存

3,368

货期

现货

1N5820G参数

封装DO-201AD
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存3368

1N5820G概述

该系列采用肖特基势垒原理, 应用于大面积金属硅功率二极管。 其先进的几何结构采用了铬势垒金属、具有氧化物钝化和金属重叠接触的外延结构。 非常适合用作低压、高频逆变器中的整流器、续流二极管和极性保护二极管。

1N5820G特性

暂无产品特性。

1N5820G应用领域

暂无应用领域。

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