1N5819-T
IC
DO-41
可供量大可议
1N5819-T
特性：保护环芯片结构， 用于瞬态保护。 低功耗、高效率。 高浪涌能力。 高电流能力和低正向压降。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 无铅涂层， 符合 RoHS 标准
品牌
DIODES
封装
DO-41
库存
4,560
货期
现货
1N5819-T参数
| 封装 | DO-41 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 4560 |
1N5819-T概述
特性：保护环芯片结构， 用于瞬态保护。 低功耗、高效率。 高浪涌能力。 高电流能力和低正向压降。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 无铅涂层， 符合 RoHS 标准
1N5819-T特性
暂无产品特性。
1N5819-T应用领域
暂无应用领域。