1N5818-E3/54
IC
DO-41
可供量大可议
1N5818-E3/54
特性：保护环， 用于过压保护。 极小的传导损耗。 极快的开关速度。 低正向压降。 高频操作。 浸焊温度最高 275℃， 持续 10 秒（符合 JESD 22-B106）。 应用：用于低压高频逆变器。 续流
品牌
VISHAY
封装
DO-41
库存
5
货期
现货
1N5818-E3/54参数
| 封装 | DO-41 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 5 |
1N5818-E3/54概述
特性：保护环， 用于过压保护。 极小的传导损耗。 极快的开关速度。 低正向压降。 高频操作。 浸焊温度最高 275℃， 持续 10 秒（符合 JESD 22-B106）。 应用：用于低压高频逆变器。 续流
1N5818-E3/54特性
暂无产品特性。
1N5818-E3/54应用领域
暂无应用领域。