1N5817W SJ-TD(0.66)
IC
SOD-123
可供量大可议
1N5817W SJ-TD(0.66)
特性：金属硅结， 多数载流子传导。 过压保护。 低功耗， 高效率。 高电流能力。 低正向压降。 高浪涌能力。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用
品牌
TDSEMIC
封装
SOD-123
库存
5,800
货期
现货
1N5817W SJ-TD(0.66)参数
| 封装 | SOD-123 |
|---|---|
| 品牌 | TDSEMIC(拓电半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 5800 |
1N5817W SJ-TD(0.66)概述
特性：金属硅结， 多数载流子传导。 过压保护。 低功耗， 高效率。 高电流能力。 低正向压降。 高浪涌能力。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用
1N5817W SJ-TD(0.66)特性
暂无产品特性。
1N5817W SJ-TD(0.66)应用领域
暂无应用领域。