1N5263B-TAP
IC
DO-35(DO-204AH)
可供量大可议
1N5263B-TAP
特性：硅平面功率齐纳二极管。 标准齐纳电压公差：订货代码后缀为 “B” 时为 ±5%， 后缀为 “C” 时为 ±2%。 提供 MiniMELF 封装（型号为 TZM5221 至 TZM5267）、SOT-23 封装（型号为 MMBZ5225 至 MMBZ5267）和 SOD-123 封装（型号为 MMSZ5225 至 MMSZ5267）。 应用：电压稳定
品牌
VISHAY
封装
DO-35(DO-204AH)
库存
20
货期
现货
1N5263B-TAP参数
| 封装 | DO-35(DO-204AH) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 20 |
1N5263B-TAP概述
特性：硅平面功率齐纳二极管。 标准齐纳电压公差：订货代码后缀为 “B” 时为 ±5%， 后缀为 “C” 时为 ±2%。 提供 MiniMELF 封装（型号为 TZM5221 至 TZM5267）、SOT-23 封装（型号为 MMBZ5225 至 MMBZ5267）和 SOD-123 封装（型号为 MMSZ5225 至 MMSZ5267）。 应用：电压稳定
1N5263B-TAP特性
暂无产品特性。
1N5263B-TAP应用领域
暂无应用领域。