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1N5262B-TR
IC

DO-35(DO-204AH)

可供量大可议

1N5262B-TR

特性:硅平面功率齐纳二极管。 标准齐纳电压公差:订购代码中带“B”后缀的为±5%, 带“C”后缀的为±2%。 该二极管也有MiniMELF封装(型号为TZM5221至TZM5267)、SOT-23封装(型号为MMBZ5225至MMBZ5267)和SOD-123封装(型号为MMSZ5225至MMSZ5267)。 应用:电压稳定

品牌

VISHAY

封装

DO-35(DO-204AH)

库存

336

货期

现货

1N5262B-TR参数

封装DO-35(DO-204AH)
品牌VISHAY(威世)
MOQ / SPQ1 / 1
分类稳压二极管
库存336

1N5262B-TR概述

特性:硅平面功率齐纳二极管。 标准齐纳电压公差:订购代码中带“B”后缀的为±5%, 带“C”后缀的为±2%。 该二极管也有MiniMELF封装(型号为TZM5221至TZM5267)、SOT-23封装(型号为MMBZ5225至MMBZ5267)和SOD-123封装(型号为MMSZ5225至MMSZ5267)。 应用:电压稳定

1N5262B-TR特性

暂无产品特性。

1N5262B-TR应用领域

暂无应用领域。

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