1N5240B-TR
IC
DO-204AH
可供量大可议
1N5240B-TR
特性：硅平面功率齐纳二极管。 标准齐纳电压公差：订货代码中有“B”后缀为±5%， “C”后缀为±2%。 可提供MiniMELF封装（型号为TZM5221至TZM5267）、SOT-23封装（型号为MMBZ5225至MMBZ5267）和SOD-123封装（型号为MMSZ5225至MMSZ5267）。 应用：电压稳定
品牌
VISHAY
封装
DO-204AH
库存
275
货期
现货
1N5240B-TR参数
| 封装 | DO-204AH |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 稳压值(标称值) | 10V |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 阻抗(Zzk) | 600Ω |
| 商品名称 | 独立式 耐压:10V 电流:3uA@8V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 稳压二极管 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 275 |
| 二极管配置 | 1个独立式 |
| 反向电流(Ir) | 3uA@8V |
| 阻抗(Zzt) | 17Ω |
| 精度 | ±5% |
| 商品型号 | 1N5240B-TR |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000177 |
1N5240B-TR概述
特性：硅平面功率齐纳二极管。 标准齐纳电压公差：订货代码中有“B”后缀为±5%， “C”后缀为±2%。 可提供MiniMELF封装（型号为TZM5221至TZM5267）、SOT-23封装（型号为MMBZ5225至MMBZ5267）和SOD-123封装（型号为MMSZ5225至MMSZ5267）。 应用：电压稳定
1N5240B-TR特性
- 硅平面功率齐纳二极管
- 标准齐纳电压公差：订购代码中有“B”后缀时为±5%（例如：1N5221B）， “C”后缀时为±2%
- 这些二极管也有MiniMELF封装（型号为TZM5221至TZM5267）、SOT
- 23封装（型号为MMBZ5225至MMBZ5267）和SOD
- 123封装（型号为MMSZ5225至MMSZ5267）
1N5240B-TR应用领域
- 电压稳定