1N4935G-T
IC
DO-41
可供量大可议
1N4935G-T
特性：玻璃钝化芯片结构。 扩散结。 快速开关， 高效能。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 无铅表面处理， 符合RoHS标准
品牌
DIODES
封装
DO-41
库存
405
货期
现货
1N4935G-T参数
| 封装 | DO-41 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 405 |
1N4935G-T概述
特性：玻璃钝化芯片结构。 扩散结。 快速开关， 高效能。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 无铅表面处理， 符合RoHS标准
1N4935G-T特性
暂无产品特性。
1N4935G-T应用领域
暂无应用领域。