1N4934-T
IC
DO-41
可供量大可议
1N4934-T
特性：扩散结。 用于高效的快速开关。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 低反向泄漏电流。 无铅表面处理， 符合RoHS标准
品牌
DIODES
封装
DO-41
库存
800
货期
现货
1N4934-T参数
| 封装 | DO-41 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 800 |
1N4934-T概述
特性：扩散结。 用于高效的快速开关。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 低反向泄漏电流。 无铅表面处理， 符合RoHS标准
1N4934-T特性
暂无产品特性。
1N4934-T应用领域
暂无应用领域。