1N4749
IC
DO-41
可供量大可议
1N4749
特性：硅平面功率齐纳二极管。 用于具有高功率额定值的稳压和限幅电路。 标准齐纳电压公差为 ±10%， 添加后缀 “A” 可实现 ±5% 公差， 其他齐纳电压和公差可按需提供
品牌
LGE
封装
DO-41
库存
12,150
货期
现货
1N4749参数
| 封装 | DO-41 |
|---|---|
| 品牌 | LGE(鲁光) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 12150 |
1N4749概述
特性：硅平面功率齐纳二极管。 用于具有高功率额定值的稳压和限幅电路。 标准齐纳电压公差为 ±10%， 添加后缀 “A” 可实现 ±5% 公差， 其他齐纳电压和公差可按需提供
1N4749特性
暂无产品特性。
1N4749应用领域
暂无应用领域。