1N4004G-T
IC
DO-41
可供量大可议
1N4004G-T
特性：玻璃钝化芯片结构。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 无铅表面处理， 符合RoHS标准
品牌
DIODES
封装
DO-41
库存
3,160
货期
现货
1N4004G-T参数
| 封装 | DO-41 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 正向压降(Vf) | 1V@1A |
| 整流电流 | 1A |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 30A |
| 分类 | 通用二极管 |
|---|---|
| 库存 | 3160 |
| 二极管配置 | 1个独立式 |
| 直流反向耐压(Vr) | 400V |
| 反向电流(Ir) | 5uA |
| 工作结温范围 | -65℃~+175℃ |
1N4004G-T概述
通用二极管 1V@1A 400V
1N4004G-T特性
暂无产品特性。
1N4004G-T应用领域
暂无应用领域。