1EDI20N12AF
IC
DSO-8
可供量大可议
1EDI20N12AF
栅极驱动IC 1EDI20N12AF
品牌
Infineon
封装
DSO-8
库存
2,460
货期
现货
1EDI20N12AF参数
| 封装 | DSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 26+ |
| 负载类型 | MOSFET |
| 灌电流(IOL) | 3.5A |
| 工作电压 | 10V~35V |
| 下降时间(tf) | 4ns |
| 传播延迟 tpHL | 120ns |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 功能特性 | 使能关断 |
| 分类 | 栅极驱动芯片 |
|---|---|
| 库存 | 2,460 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 驱动通道数 | 1 |
| 拉电流(IOH) | 4A |
| 上升时间(tr) | 5ns |
| 传播延迟 tpLH | 115ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP)； 短路保护(SCP) |
| 静态电流(Iq) | 650uA |
1EDI20N12AF概述
栅极驱动IC 1EDI20N12AF
1EDI20N12AF特性
暂无产品特性。
1EDI20N12AF应用领域
暂无应用领域。