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1EDC20H12AH
自营可供
IC

DSO-8

1EDC20H12AH

IC: driver; single transistor; high-side, IGBT gate driver; -2÷2A

品牌

Infineon

封装

DSO-8

交期

现货

批次

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1EDC20H12AH参数

封装DSO-8
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 1
驱动通道数1
拉电流(IOH)4A
上升时间(tr)5ns
传播延迟 tpLH120ns
特性欠压保护(UVP); 短路保护(SCP)
静态电流(Iq)650uA
分类栅极驱动芯片
库存1,000
负载类型IGBT
灌电流(IOL)3.5A
工作电压3.1V~17V
下降时间(tf)4ns
传播延迟 tpHL125ns
工作温度-40℃~+125℃
功能特性使能关断

1EDC20H12AH概述

IC: driver; single transistor; high-side, IGBT gate driver; -2÷2A

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