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1ED44173N01BXTSA1
自营可供
IC

SOT-23-6

1ED44173N01BXTSA1

ISOLATED

品牌

Infineon

封装

SOT-23-6

交期

现货

批次

25+

1ED44173N01BXTSA1参数

封装SOT-23-6
品牌Infineon(英飞凌)
批次25+
驱动配置低边
驱动通道数1
拉电流(IOH)2.6A
上升时间(tr)5ns
传播延迟 tpLH34ns
特性欠压保护(UVP); 过流保护(OCP)
输入高电平(VIH)1.9V~2.3V
静态电流(Iq)700uA
分类栅极驱动芯片
库存1
MOQ / SPQ1 / 1
负载类型MOSFET
灌电流(IOL)2.6A
工作电压8.6V~20V
下降时间(tf)5ns
传播延迟 tpHL34ns
工作温度-40℃~+125℃
输入低电平(VIL)800mV~1.2V
功能特性使能关断; 过流保护

1ED44173N01BXTSA1概述

ISOLATED

1ED44173N01BXTSA1应用领域

  • 1ED44173N01BXTSA1是英飞凌针对中小功率电力电子系统推出的 单通道隔离式低边栅极驱动IC, 专为驱动功率MOSFET设计, 核心目标是为系统提供高效、可靠的栅极控制方案。 其应用场景覆盖多个领域
  • 工业自动化:伺服电机驱动、PLC电源模块、开关电源(LLC谐振变换器、Flyback辅助电源)
  • 新能源:光伏逆变器低边功率回路、储能系统DC-DC模块
  • 汽车电子:车载辅助电源、小型电机控制单元(如电动座椅、车窗电机)
  • 消费电子:高密度充电器、无人机电源模块。
  • 由于支持-40℃~+125℃宽温度范围, 该器件可适应户外光伏设备、工业现场控制柜等 harsh 环境的长期稳定运行。
  • 该器件在实际应用中具备多重核心优势
  • 高频效率提升:5ns开关时间可降低MOSFET开关损耗10%~15%(对比传统驱动IC), 适合LLC谐振变换器等高频拓扑, 可减小磁性元件体积, 降低系统成本
  • 宽负载兼容性:2.6A灌拉电流可驱动栅极电荷(Qg)达13nC的MOSFET(如英飞凌CoolMOS系列), 无需额外图腾柱驱动级, 简化电路设计
  • 宽温可靠性:-40℃~+125℃温度范围覆盖全球大部分工业与汽车场景, 无需额外散热器
  • 隔离安全防护:galvanic隔离符合UL 1577、VDE 0884安全标准, 防止功率侧高压击穿控制电路
  • 小尺寸集成:SOT-23-6封装可直接贴装高密度PCB, 适合无人机电源、车载充电器辅助模块等对体积敏感的产品。
  • MOSFET匹配:建议选择栅极电荷(Qg)≤13nC的MOSFET(按tr=5ns计算:Qg=I×tr=2.6A×5ns=13nC), 若使用更大Qg器件, 需评估开关时间是否满足系统需求
  • 电源电压控制:Vcc需稳定在8.6V~20V之间, 避免过压(>20V)损坏或欠压(<8.6V)导致驱动不足
  • 隔离设计规范:PCB需满足爬电距离与电气间隙要求(功率侧与控制侧间距≥2mm), 符合安全标准
  • 热管理:高频(>500kHz)或高负载工况下, 需在功率引脚下方铺铜提升散热效率
  • 逻辑输入兼容:兼容3.3V/5V电平, 可直接连接MCU/FPGA IO口, 无需电平转换。
  • 该器件凭借高效驱动、宽温可靠与小尺寸集成等特性, 成为工业、新能源与汽车电子领域中小功率MOSFET驱动的优选方案。

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