1ED3121MU12H
IC
DSO-8
可供量大可议
1ED3121MU12H
1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。 它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流， 或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。 输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作， 采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器
品牌
Infineon
封装
DSO-8
库存
1,596
货期
现货
1ED3121MU12H参数
| 封装 | DSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 26+ |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 驱动通道数 | 1 |
| 拉电流(IOH) | 5.5A |
| 下降时间(tf) | 15ns |
| 传播延迟 tpHL | 90ns |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 分类 | 栅极驱动芯片 |
|---|---|
| 库存 | 1,596 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 负载类型 | IGBT； MOSFET |
| 灌电流(IOL) | 5.5A |
| 工作电压 | 10V~35V |
| 传播延迟 tpLH | 90ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP)； 短路保护(SCP) |
| 功能特性 | 使能关断 |
1ED3121MU12H概述
1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。 它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流， 或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。 输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作， 采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器
1ED3121MU12H特性
暂无产品特性。
1ED3121MU12H应用领域
暂无应用领域。