1C218432CC0J
IC
SMD3225-4P
可供量大可议
1C218432CC0J
特性：标称频率：18.432000 MHz。 负载电容（CL）：10.0 pF。 驱动电平：10 μW ± 2 μW。 频率公差：在25℃ ± 3℃时为± 30 × 10⁻⁶。 串联电阻：最大80欧姆（CL = 串联）。 温度范围内频率特性：在-20℃至 +75℃（参考 +25℃）时为± 30 × 10⁻⁶。 工作温度范围：-20℃至 +75℃。 存储温度范围：-40℃至 +85℃。 并联电容（CO）：最大2.0 pF。 绝缘电阻：在100V直流下最小500 MΩ。 泛音阶次：基频
品牌
KDS
封装
SMD3225-4P
库存
1,700
货期
现货
1C218432CC0J参数
| 封装 | SMD3225-4P |
|---|---|
| 品牌 | KDS(大真空) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 无源晶振 |
|---|---|
| 库存 | 1700 |
1C218432CC0J概述
特性：标称频率：18.432000 MHz。 负载电容（CL）：10.0 pF。 驱动电平：10 μW ± 2 μW。 频率公差：在25℃ ± 3℃时为± 30 × 10⁻⁶。 串联电阻：最大80欧姆（CL = 串联）。 温度范围内频率特性：在-20℃至 +75℃（参考 +25℃）时为± 30 × 10⁻⁶。 工作温度范围：-20℃至 +75℃。 存储温度范围：-40℃至 +85℃。 并联电容（CO）：最大2.0 pF。 绝缘电阻：在100V直流下最小500 MΩ。 泛音阶次：基频
1C218432CC0J特性
暂无产品特性。
1C218432CC0J应用领域
暂无应用领域。