1C213000AB0G
IC
SMD3225-4P
可供量大可议
1C213000AB0G
特性：标称频率：13.000000 MHz。 负载电容(CL)：10.0 pF。 驱动电平：10 μW ± 2 μW。 频率公差：在25℃ ± 3℃时为±10×10⁻⁶。 串联电阻：最大80欧姆/CL = 串联。 频率特性：在-20℃至+70℃温度范围内（参考+25℃）为±12×10⁻⁶。 工作温度范围：-20℃至+70℃。 储存温度范围：-40℃至+85℃。 并联电容(CO)：最大2.0 pF。 绝缘电阻：在100V直流下最小500 MΩ。 泛音阶次：基频
品牌
KDS
封装
SMD3225-4P
库存
2,989
货期
现货
1C213000AB0G参数
| 封装 | SMD3225-4P |
|---|---|
| 品牌 | KDS(大真空) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 无源晶振 |
|---|---|
| 库存 | 2989 |
1C213000AB0G概述
特性：标称频率：13.000000 MHz。 负载电容(CL)：10.0 pF。 驱动电平：10 μW ± 2 μW。 频率公差：在25℃ ± 3℃时为±10×10⁻⁶。 串联电阻：最大80欧姆/CL = 串联。 频率特性：在-20℃至+70℃温度范围内（参考+25℃）为±12×10⁻⁶。 工作温度范围：-20℃至+70℃。 储存温度范围：-40℃至+85℃。 并联电容(CO)：最大2.0 pF。 绝缘电阻：在100V直流下最小500 MΩ。 泛音阶次：基频
1C213000AB0G特性
暂无产品特性。
1C213000AB0G应用领域
暂无应用领域。