1C210000BB0F
IC
SMD3225-4P
可供量大可议
1C210000BB0F
特性：标称频率：10.000000 MHz。 负载电容（CL）：12.0 pF。 驱动电平：10 μW ± 2 μW。 频率公差：在25℃ ± 3℃时为 ± 20 × 10⁻⁶。 串联电阻：最大80欧姆（CL = 串联）。 温度范围-20℃至 +75℃内的频率特性（参考 +25℃）：± 20 × 10⁻⁶。 工作温度范围：- 20℃至 +75℃。 存储温度范围：- 40℃至 +85℃。 并联电容（CO）：最大2.0 pF。 绝缘电阻：在100V直流下最小500 MΩ。 泛音阶次：基频
Brand
KDS
Package
SMD3225-4P
Stock
5
货期
现货
1C210000BB0FParameters
| 封装 | SMD3225-4P |
|---|---|
| 品牌 | KDS(大真空) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 无源晶振 |
|---|---|
| 库存 | 5 |
1C210000BB0F概述
特性：标称频率：10.000000 MHz。 负载电容（CL）：12.0 pF。 驱动电平：10 μW ± 2 μW。 频率公差：在25℃ ± 3℃时为 ± 20 × 10⁻⁶。 串联电阻：最大80欧姆（CL = 串联）。 温度范围-20℃至 +75℃内的频率特性（参考 +25℃）：± 20 × 10⁻⁶。 工作温度范围：- 20℃至 +75℃。 存储温度范围：- 40℃至 +85℃。 并联电容（CO）：最大2.0 pF。 绝缘电阻：在100V直流下最小500 MΩ。 泛音阶次：基频
1C210000BB0F特性
暂无产品特性。
1C210000BB0F应用领域
暂无应用领域。