1C208000CE0Q
IC
SMD3225-4P
可供量大可议
1C208000CE0Q
特性：基频模式。 负载电容（5L）：10.0pF。 频率公差：±30ppm（最大值， 在+25±3°C时）。 驱动电平：10±2μW。 串联电阻：400Ω（最大值， 串联时）。 工作温度范围：-40~+85°C。 频率特性：±50ppm（最大值， -40~+85°C， 相对于+25°C）。 并联电容：2.0pF（最大值）。 绝缘电阻：500MΩ（最小值， 直流100±15V）。 储存温度范围：-40~+85°C
品牌
KDS
封装
SMD3225-4P
库存
5,085
货期
现货
1C208000CE0Q参数
| 封装 | SMD3225-4P |
|---|---|
| 品牌 | KDS(大真空) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 无源晶振 |
|---|---|
| 库存 | 5085 |
1C208000CE0Q概述
特性：基频模式。 负载电容（5L）：10.0pF。 频率公差：±30ppm（最大值， 在+25±3°C时）。 驱动电平：10±2μW。 串联电阻：400Ω（最大值， 串联时）。 工作温度范围：-40~+85°C。 频率特性：±50ppm（最大值， -40~+85°C， 相对于+25°C）。 并联电容：2.0pF（最大值）。 绝缘电阻：500MΩ（最小值， 直流100±15V）。 储存温度范围：-40~+85°C
1C208000CE0Q特性
暂无产品特性。
1C208000CE0Q应用领域
暂无应用领域。