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18P10AGJ-HF-VB
IC

TO-251

可供量大可议

18P10AGJ-HF-VB

TO251; P—Channel沟道, -100V; -16A; RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-2.5V

品牌

VBsemi

封装

TO-251

库存

100

货期

现货

18P10AGJ-HF-VB参数

封装TO-251
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存100

18P10AGJ-HF-VB概述

TO251; P—Channel沟道, -100V; -16A; RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-2.5V

18P10AGJ-HF-VB特性

暂无产品特性。

18P10AGJ-HF-VB应用领域

暂无应用领域。

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