18N50F

这款N沟道MOSFET适用于中等电压电路， 具备50V漏源电压额定值， 能处理强劲的18A连续漏极电流， 特别适合于电源转换及电池管理应用。 其导通电阻仅300毫欧， 有助于减少能量损耗并提升系统效率。 适合于各类消费电子、移动设备及DC-DC转换器， 是追求高效能与小型化设计的理想半导体解决方案。