16N65

这款N沟道MOSFET是高电压应用的优选器件， 具备650V的漏源电压耐压及16A连续漏极电流承载能力， 确保在高压环境中的稳定工作表现。 450毫欧的低导通电阻设计， 有效提升电路效率， 减少能耗。 适用于高压电源转换器、LED驱动器及高端家用电器， 为您的设备提供高效、可靠的电流控制解决方案。