150N03
IC
TO-252-4R
可供量大可议
150N03
MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 30阈值电压VGS:±20V th(V):1.2～2.4导通电阻RDS(ON) (mΩ):1.5-2.2连续漏极电流ID(A):150A
品牌
HL
封装
TO-252-4R
库存
1,055
货期
现货
150N03参数
| 封装 | TO-252-4R |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1055 |
150N03概述
MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 30阈值电压VGS:±20V th(V):1.2～2.4导通电阻RDS(ON) (mΩ):1.5-2.2连续漏极电流ID(A):150A
150N03特性
暂无产品特性。
150N03应用领域
暂无应用领域。