13P15
IC
TO-252-3L
可供量大可议
13P15
工艺:沟槽， 类型:P， 漏源电压(Vdss) (V):-150， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):-2～-4， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):270， 连续漏极电流ID(A):-13A
品牌
HL
封装
TO-252-3L
库存
660
货期
现货
13P15参数
| 封装 | TO-252-3L |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 660 |
13P15概述
工艺:沟槽， 类型:P， 漏源电压(Vdss) (V):-150， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):-2～-4， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):270， 连续漏极电流ID(A):-13A
13P15特性
暂无产品特性。
13P15应用领域
暂无应用领域。