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12N03M
IC

DFN2x2-6L

可供量大可议

12N03M

特性:超低栅极电荷。 提供环保型器件。 出色的Cdv/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。 应用:PWM应用。 负载开关

品牌

HL

封装

DFN2x2-6L

库存

2,930

货期

现货

12N03M参数

封装DFN2x2-6L
品牌HL(富海微)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存2930

12N03M概述

特性:超低栅极电荷。 提供环保型器件。 出色的Cdv/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。 应用:PWM应用。 负载开关

12N03M特性

暂无产品特性。

12N03M应用领域

暂无应用领域。

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