11N60C3-VB TO263
IC
TO-263
可供量大可议
11N60C3-VB TO263
TO263； N—Channel沟道, 650V； 18A； RDS(ON)=360mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
Brand
VBsemi
Package
TO-263
Stock
45
货期
现货
11N60C3-VB TO263Parameters
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
11N60C3-VB TO263概述
TO263； N—Channel沟道, 650V； 18A； RDS(ON)=360mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
11N60C3-VB TO263特性
暂无产品特性。
11N60C3-VB TO263应用领域
暂无应用领域。