10N06Q
IC
SOT-89-3L
可供量大可议
10N06Q
MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 20阈值电压VGS:±20V th(V):1～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):40/45 连续漏极电流ID(A):10A
品牌
HL
封装
SOT-89-3L
库存
5,710
货期
现货
10N06Q参数
| 封装 | SOT-89-3L |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5710 |
10N06Q概述
MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 20阈值电压VGS:±20V th(V):1～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):40/45 连续漏极电流ID(A):10A
10N06Q特性
暂无产品特性。
10N06Q应用领域
暂无应用领域。