10G10S
IC
SOP-8
可供量大可议
10G10S
工艺:沟槽， 类型:N+P， 漏源电压(Vdss) (V):100/-100， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):±1.2～±2.5， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):70/180， 连续漏极电流ID(A):10A/-5A
品牌
HL
封装
SOP-8
库存
3,100
货期
现货
10G10S参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3100 |
10G10S概述
工艺:沟槽， 类型:N+P， 漏源电压(Vdss) (V):100/-100， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):±1.2～±2.5， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):70/180， 连续漏极电流ID(A):10A/-5A
10G10S特性
暂无产品特性。
10G10S应用领域
暂无应用领域。