100N03DF
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
100N03DF
TDD（台冠/台源电子)MOS配置 独立式； 沟道类型 N 沟道； 漏源击穿电压（Vds) 30V； 连续漏极电流（Id) 100A； 栅极开启电压 (Vgs (th)) 2V； 导通内阻 (Rds (on)) 3Ω@Vgs=10V； 耗散功率 (Pd) 39W； 工作结温范围 - 55℃~+150℃
品牌
TDD
封装
DFN-8L(3x3)
库存
4,975
货期
现货
100N03DF参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | TDD(台冠电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4975 |
100N03DF概述
TDD（台冠/台源电子)MOS配置 独立式； 沟道类型 N 沟道； 漏源击穿电压（Vds) 30V； 连续漏极电流（Id) 100A； 栅极开启电压 (Vgs (th)) 2V； 导通内阻 (Rds (on)) 3Ω@Vgs=10V； 耗散功率 (Pd) 39W； 工作结温范围 - 55℃~+150℃
100N03DF特性
暂无产品特性。
100N03DF应用领域
暂无应用领域。