05N30G-AE3-R
自营可供
IC
SOT-23
05N30G-AE3-R
UTC 05N30是一款N沟道功率MOSFET， 采用了UTC的先进技术， 可为客户提供极低的导通电阻、低栅极电荷和出色的开关性能。
品牌
UTC
封装
SOT-23
交期
现货
批次
—
05N30G-AE3-R参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | UTC(友顺) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 300V |
| 耗散功率(Pd) | 600mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:300V 电流:0.5A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2630 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 100pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
| 商品型号 | 05N30G-AE3-R |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.9e-05 |
05N30G-AE3-R概述
UTC 05N30 是一款 N 沟道功率 MOSFET, 采用 UTC 先进技术, 可为客户提供极低的导通电阻、低栅极电荷和出色的开关性能。
05N30G-AE3-R特性
- RDS(ON) \leq 5.0Ω @ VGS = 10V, ID = 0.25A
- 高开关速度
- 100% 雪崩测试
05N30G-AE3-R应用领域
- MB/VGA核心电压-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器