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InGaN amber nano-LED with 10% external quantum efficiency
发布方: Semiconductor Today发布时间: 2026年10月13日 17:31
资讯摘要
Researchers based in China and Malaysia report conventional nano-scale amber light-emitting diodes (LEDs) based on indium gallium nitride (InGaN) with 10% peak external quantum efficiency (EQE)...
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