YJQ2012A
IC
DFN2020-6L
AvailableNegotiable
YJQ2012A
YJQ2012A is a YANGJIE MOSFETs(MOSFET) in DFN2020-6L package.
Brand
YANGJIE
Package
DFN2020-6L
Stock
4,496
Lead Time
In stock
YJQ2012A Parameters
| Package | DFN2020-6L |
|---|---|
| Brand | YANGJIE |
| Date Code | 25+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV |
| 输入电容(Ciss) | 777pF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Part Number | YJQ2012A |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 4.5e-05 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 4496 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.5nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF |
| Product Name | 1个N沟道 耐压:20V 电流:12A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
YJQ2012A Overview
沟槽功率低压MOSFET技术-高功率和高电流处理能力
YJQ2012A Features
- 沟槽式场效应晶体管（Trench FET）功率MOSFET
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- RDS(ON) < 65 mΩ（VGS = -10 V）
- RDS(ON) < 75 mΩ（VGS = -4.5 V）
- RDS(ON) < 90 mΩ（VGS = -2.5 V）
YJQ2012A Applications
- PWM应用-负载开关