WSF15N10A
IC
TO-252
AvailableNegotiable
WSF15N10A
Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 100 VGS(V) 20 ID(A)Max. 15 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m? )@4.389V 110 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 3.2 Qgd(nC) 6 Ciss(pF) 730 Coss(pF) 37 Crss(pF) 27
Brand
WINSOK
Package
TO-252
Stock
2,500
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In stock
WSF15N10A Parameters
| Package | TO-252 |
|---|---|
| Brand | WINSOK |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.5nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| Part Number | WSF15N10A |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.000484 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 2500 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 730pF |
| Operating Temperature | -55℃~+170℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 37pF |
| Product Name | 1个N沟道 耐压:100V 电流:15A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
WSF15N10A Overview
WSF15N10A采用先进的沟槽技术和设计, 可在低栅极电荷下实现出色的RDS(ON)。 它可用于多种应用场景。
WSF15N10A Features
- 高密度单元设计, 实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装, 散热性能良好
- 采用特殊工艺技术, 具备高ESD能力
WSF15N10A Applications
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源