WSD40P10DN56
IC
DFN5X6-8L
AvailableNegotiable
WSD40P10DN56
WSD40P10DN56 is a WINSOK MOSFETs(MOSFET) in DFN5X6-8L package.
Brand
WINSOK
Package
DFN5X6-8L
Stock
9,902
Lead Time
In stock
WSD40P10DN56 Parameters
| Package | DFN5X6-8L |
|---|---|
| Brand | WINSOK |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| Part Number | WSD40P10DN56 |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.00013 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 9902 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 输入电容(Ciss) | 3.029nF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 129pF |
| Product Name | 1个P沟道 耐压:100V 电流:30A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
WSD40P10DN56 Overview
WSD40P10DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET, 具有极高的单元密度, 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WSD40P10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求, 100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试, 具备全面的可靠性认证。
WSD40P10DN56 Features
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%雪崩能量耐量(EAS)保证
- 提供绿色环保器件
WSD40P10DN56 Applications
- 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流
- 直流电源系统
- 负载开关