WPM3027-3/TR
IC
DFN1006-3L
AvailableNegotiable
WPM3027-3/TR
WPM3027-3/TR is a WILLSEMI MOSFETs(MOSFET) in DFN1006-3L package.
Brand
WILLSEMI
Package
DFN1006-3L
Stock
54,404
Lead Time
In stock
WPM3027-3/TR Parameters
| Package | DFN1006-3L |
|---|---|
| Brand | WILLSEMI |
| Date Code | Within 2 years |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 110pF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 18pF |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 54,404 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 320mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.45nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF |
| 类型 | P沟道 |
WPM3027-3/TR Overview
WPM3027 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。 该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
WPM3027-3/TR Features
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WPM3027-3/TR Applications
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