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TPS51601ADRBR
Self-operatedAvailable
IC

VSON (DRB)| 8

TPS51601ADRBR

TPS51601ADRBR is a TI Gate Driver ICs in VSON (DRB)| 8 package.

Brand

TI

Package

VSON (DRB)| 8

Lead Time

In stock

Date Code

22+

TPS51601ADRBR Parameters

PackageVSON (DRB)| 8
BrandTI
Date Code22+
驱动配置高边; 低边
驱动通道数2
上升时间(tr)35ns
传播延迟 tpLH25ns
特性欠压保护(UVP)
输入高电平(VIH)4V
静态电流(Iq)160uA
CategoryGate Driver ICs
Stock1,000
MOQ / SPQ1 / 1
负载类型MOSFET
工作电压4.5V~5.5V
下降时间(tf)35ns
传播延迟 tpHL25ns
Operating Temperature-40℃~+105℃
输入低电平(VIL)700mV
功能特性交错导通保护; 死区时间控制

TPS51601ADRBR Overview

栅极驱动芯片 TPS51601ADRBR WSON-8-EP(3x3)

TPS51601ADRBR Features

  • TPS51601ADRBR的电气性能针对高速开关场景优化, 核心参数表现突出
  • 开关速度快:上升时间(tr)35ns, 下降时间(tf)35ns, 传播延迟(tpLH/tpHL)均为25ns。 快速开关特性可减少MOSFET交叉导通时间, 降低开关损耗, 适配高频DC-DC转换或快速响应的电机驱动。
  • 低静态功耗:静态电流(Iq)仅160μA, 待机/轻载状态下功耗极低, 适合电池供电的便携设备(如笔记本、平板)或功耗敏感的工业系统。
  • 宽电压兼容:4.5V~5.5V工作范围覆盖常见5V电源, 无需额外电压转换, 简化设计流程。
  • 采用 WSON-8-EP(3×3mm)封装, 具备三大优势
  • 尺寸紧凑:3×3mm小封装适配高密度PCB布局, 节省电路板空间
  • 散热增强:带散热增强引脚(EP), 直接将热量传导至PCB铜箔, 提升散热效率
  • 工艺兼容:与标准贴片工艺兼容, 便于自动化生产。

TPS51601ADRBR Applications

  • 基于性能与封装特点, 适用于以下场景
  • 便携设备电源管理:笔记本、平板的DC-DC转换模块(如CPU/VCORE供电), 小封装适配轻薄化需求
  • 小型电机驱动:无人机电机、小型伺服电机、玩具电机, 快速开关提升响应速度
  • 工业电源模块:通信基站、工业控制器的电源转换电路, 宽温范围满足工业环境
  • LED驱动辅助:大功率LED的MOSFET开关控制(如背光驱动), 低功耗适配电池供电照明。

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