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ST25DV64KC-IE6S3
Self-operatedAvailable
IC

SO-8

ST25DV64KC-IE6S3

ST25DV64KC-IE6S3 is a ST RF Card ICs in SO-8 package.

Brand

ST

Package

SO-8

Lead Time

In stock

Date Code

—

ST25DV64KC-IE6S3 Parameters

PackageSO-8
BrandST
MOQ / SPQ1 / 1
接口类型I2C
Frequency13.56MHz
静态电流(Iq)1uA
Product Name64Kbit动态NFC/RFID标签IC, 支持快速传输模式和优化I2C接口
PackagingTape & Reel
Product TypeRF Card ICs
CategoryRF Card ICs
Stock909
协议ISO 15693, NFC
传输速率53Kbit/s
工作电压1.8V~5.5V
功能特性能量采集; 低功耗唤醒; 内置非易失性存储
Part NumberST25DV64KC-IE6S3
Unitpcs
Product Weight0.0005

ST25DV64KC-IE6S3 Overview

RFID应答器 Dynamic NFC/RFID tag IC with 64-Kbit EEPROM, and fast transfer mode capability

ST25DV64KC-IE6S3 Features

  • 采用意法半导体(ST)的先进专利技术
  • 两线I²C串行接口支持1MHz协议
  • 单电源电压:1.8 V至5.5 V
  • 多字节写入编程(最多256字节)
  • 可配置的I²C从地址
  • 基于ISO/IEC 15693标准
  • 获得NFC论坛认证的NFC论坛类型5标签
  • 支持所有ISO/IEC 15693调制、编码、副载波模式和数据速率
  • 自定义快速读取访问速度高达53 kbit/s
  • 单块和多块读取(扩展命令同理)
  • 单块和多块写入(最多四块)(扩展命令同理)
  • 内部调谐电容:28.5 pF
  • 最多64 Kbit的EEPROM(取决于型号)
  • I²C接口按字节访问
  • 射频接口按4字节块访问
  • 写入时间:从I²C写入:1至16字节典型值为5 ms
  • 从射频写入:一个块典型值为5 ms
  • 数据保留时间:40年
  • 写入周期耐久性:25 ℃时100万次写入周期
  • 85 ℃时60万次写入周期
  • 105 ℃时50万次写入周期
  • 125 ℃时40万次写入周期
  • I²C和射频接口之间实现快速数据传输
  • 半双工256字节专用缓冲区
  • 模拟输出引脚可为外部组件供电
  • 用户存储器:一到四个可配置区域, 在射频模式下可通过三个64位密码、在I²C模式下可通过一个64位密码进行读和/或写保护
  • 系统配置:在射频模式下通过一个64位密码、在I²C模式下通过一个64位密码进行写保护
  • 中断引脚可针对多个射频事件(场变化、存储器写入、活动、快速传输结束、用户设置/复位/脉冲)和I²C事件(存储器写入完成、射频关闭)进行配置
  • 开漏或CMOS输出(取决于型号)
  • 输入引脚可触发低功耗模式(仅适用于10球和12引脚封装)
  • 可通过I²C主控制器启用/禁用射频命令解释器
  • I²C优先级:可通过I²C立即关闭射频
  • 温度范围6:-40 ℃至
  • 温度范围8:-40 ℃至85 ℃(仅适用于UDFPN8和UFDFPN12封装)
  • -40 ℃至125 ℃(仅适用于SO8N和TSSOP8封装, 射频接口最高105 ℃)
  • 8引脚、10球和12引脚ECOPACK2封装(符合RoHS标准)

Business Email

sales@womaielec.com

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