SQS401EN-T1-GE3-VB
IC
DFN-8(3x3)
AvailableNegotiable
SQS401EN-T1-GE3-VB
SQS401EN-T1-GE3-VB is a VBsemi MOSFETs(MOSFET) in DFN-8(3x3) package.
Brand
VBsemi
Package
DFN-8(3x3)
Stock
42
Lead Time
In stock
SQS401EN-T1-GE3-VB Parameters
| Package | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| Brand | VBsemi |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Product Name | 1个P沟道 耐压:40V 电流:45A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 42 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V； 13mΩ@4.5V |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V |
| 类型 | P沟道 |
| Part Number | SQS401EN-T1-GE3-VB |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.00018 |
SQS401EN-T1-GE3-VB Overview
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术， 具备低导通电阻、高开关性能和卓越品质。 这些器件非常适用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源的DC-AC转换器以及电机控制。
SQS401EN-T1-GE3-VB Features
- 沟槽功率MOSFET
- 低导通电阻, 低压降
- 100%进行Rg和UIS测试
SQS401EN-T1-GE3-VB Applications
- 电池、负载和适配器开关
- 笔记本电脑
- 笔记本电脑电池组