SIR403EDP-T1-GE3
IC
PowerPAK-SO-8
AvailableNegotiable
SIR403EDP-T1-GE3
SIR403EDP-T1-GE3 is a VISHAY MOSFETs(MOSFET) in PowerPAK-SO-8 package.
Brand
VISHAY
Package
PowerPAK-SO-8
Stock
20
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In stock
SIR403EDP-T1-GE3 Parameters
| Package | PowerPAK-SO-8 |
|---|---|
| Brand | VISHAY |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 5W; 56.8W |
| 栅极电荷量(Qg) | 153nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 820pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
| Part Number | SIR403EDP-T1-GE3 |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.00038 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 20 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 输入电容(Ciss) | 4.62nF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 880pF |
| Product Name | 1个P沟道 耐压:30V 电流:40A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
SIR403EDP-T1-GE3 Overview
SIR403EDP-T1-GE3 is a VISHAY MOSFETs(MOSFET) in PowerPAK-SO-8 package.
SIR403EDP-T1-GE3 Features
- 适用于适配器开关应用的扩展 VGS 范围(\pm 25V)
- 极低的 RDS(on)
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
- 典型 ESD 性能:4000V(HBM)
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
SIR403EDP-T1-GE3 Applications
- 适配器开关、负载开关
- 电源管理
- 笔记本电脑和便携式电池组
