SIHLL110TR-GE3
IC
SOT-223
AvailableNegotiable
SIHLL110TR-GE3
SIHLL110TR-GE3 is a VISHAY MOSFETs(MOSFET) in SOT-223 package.
Brand
VISHAY
Package
SOT-223
Stock
4,708
Lead Time
In stock
SIHLL110TR-GE3 Parameters
| Package | SOT-223 |
|---|---|
| Brand | VISHAY |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
| Part Number | SIHLL110TR-GE3 |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.00031 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 4708 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 540mΩ@5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 250pF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 80pF |
| Product Name | 1个N沟道 耐压:100V 电流:0.93A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
SIHLL110TR-GE3 Overview
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。 其独特的封装设计允许像其他SOT或SOIC封装一样轻松进行自动拾放, 并且由于散热片采用了加大的散热片, 还具有改善热性能的额外优势。 在典型的表面贴装应用中, 功率耗散可能超过1.25 W。
SIHLL110TR-GE3 Features
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 逻辑电平栅极驱动
- 在VGS = 4 V和5 V时规定RDS(on)
- 快速开关
SIHLL110TR-GE3 Applications
No applications are available.