SIDR626EP-T1-RE3
IC
PowerPAKSO-8DC
AvailableNegotiable
SIDR626EP-T1-RE3
SIDR626EP-T1-RE3 is a VISHAY MOSFETs(MOSFET) in PowerPAKSO-8DC package.
Brand
VISHAY
Package
PowerPAKSO-8DC
Stock
2,920
Lead Time
In stock
SIDR626EP-T1-RE3 Parameters
| Package | PowerPAKSO-8DC |
|---|---|
| Brand | VISHAY |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 7.5W； 150W |
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF |
| 类型 | N沟道 |
| Product Name | 1个N沟道 耐压:60V 电流:50.8A 227A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 2920 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.74mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 5.13nF |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 1.19nF |
| Part Number | SIDR626EP-T1-RE3 |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.00058 |
SIDR626EP-T1-RE3 Overview
SIDR626EP-T1-RE3 is a VISHAY MOSFETs(MOSFET) in PowerPAKSO-8DC package.
SIDR626EP-T1-RE3 Features
- 第四代沟槽式场效应晶体管功率MOSFET
- 极低的导通电阻-栅极电荷品质因数(FOM)
- 针对最低的导通电阻-输出电容品质因数进行调谐
- 经过100%反向恢复和非钳位感性开关测试
- 顶部散热特性为热传递提供额外途径
SIDR626EP-T1-RE3 Applications
- 同步整流
- 原边开关
- DC/DC转换器
- 太阳能微型逆变器
- 电机驱动开关
- 电池和负载开关
- 工业应用