SI2318CDS-T1-GE3
IC
SOT-23-3（TO-236）
AvailableNegotiable
SI2318CDS-T1-GE3
SI2318CDS-T1-GE3 is a VISHAY MOSFETs(MOSFET) in SOT-23-3（TO-236） package.
Brand
VISHAY
Package
SOT-23-3（TO-236）
Stock
108,000
Lead Time
In stock
SI2318CDS-T1-GE3 Parameters
| Package | SOT-23-3（TO-236） |
|---|---|
| Brand | VISHAY |
| Date Code | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 340pF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 60pF |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 108,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF |
| 类型 | N沟道 |
SI2318CDS-T1-GE3 Overview
场效应管(MOSFET) 1.25W； 2.1W 40V 5.6A 1个N沟道
SI2318CDS-T1-GE3 Features
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SI2318CDS-T1-GE3 Applications
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