RQ3E080BNTB
IC
HSMT-8
AvailableNegotiable
RQ3E080BNTB
RQ3E080BNTB is a ROHM MOSFETs(MOSFET) in HSMT-8 package.
Brand
ROHM
Package
HSMT-8
Stock
42
Lead Time
In stock
RQ3E080BNTB Parameters
| Package | HSMT-8 |
|---|---|
| Brand | ROHM |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 14W |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF |
| Product Name | 1个N沟道 耐压:30V 电流:15A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 42 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 660pF |
| OutputCapacitors(Coss) | 90pF |
| Part Number | RQ3E080BNTB |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 8.7356e-05 |
RQ3E080BNTB Overview
CPC3902是一款250V的N沟道耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）， 采用专有的第三代垂直双扩散MOS（DMOS）工艺制造， 在经济的硅栅工艺中实现了高电压性能。 这种垂直DMOS工艺生产出的器件坚固耐用， 输入阻抗高， 适用于电源应用。 与所有MOS器件一样， 该场效应晶体管（FET）结构可防止热失控和热致二次击穿， 这使得CPC3902非常适合用于高功率应用。 CPC3902采用SOT - 223封装。
RQ3E080BNTB Features
- 低导通电阻
- 高功率封装(HSMT8)
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
RQ3E080BNTB Applications
- 开关应用