PPMT20V4E
IC
SOT-23
AvailableNegotiable
PPMT20V4E
PPMT20V4E is a Prisemi MOSFETs(MOSFET) in SOT-23 package.
Brand
Prisemi
Package
SOT-23
Stock
2,875
Lead Time
In stock
PPMT20V4E Parameters
| Package | SOT-23 |
|---|---|
| Brand | Prisemi |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
| Part Number | PPMT20V4E |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 4.1e-05 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 2875 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 200pF |
| Product Name | P沟道MOSFET |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
PPMT20V4E Overview
增强型MOS管具有极高的单元密度和低导通电阻。
PPMT20V4E Features
- RDS(ON) ≤15mΩ@VGS=10V
- RDS(ON) ≤20mΩ @VGS=4.5V
- 超高密度单元设计， 实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
PPMT20V4E Applications
- 台式计算机的电源管理-视频图形加速卡-电池供电系统-DC/DC转换器