PGA855RGTR
Self-operatedAvailable
IC
VQFN(RGT)| 16
PGA855RGTR
Low-noise, wide-bandwidth, fully-differential-output programmable-gain instrumentation amplifier
Brand
TI
Package
VQFN(RGT)| 16
Lead Time
In stock
Date Code
—
PGA855RGTR Parameters
| Package | VQFN(RGT)| 16 |
|---|---|
| Brand | TI |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 共模抑制比(CMRR) | 64dB |
| 输入失调电压(Vos) | 70uV |
| OutputCurrent | 45mA |
| 输出类型 | 差分 |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 1uV/℃ |
| 输入电压噪声密度(eN) | 21.6nV/√Hz@1kHz |
| 输入失调电流温漂(Ios TC) | 10pA/℃ |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | -18V~-4V； 4V~18V |
| 稳定时间 | 700ns |
| 电压增益 | 0.125V/V~16V/V |
| Product Name | 低噪声、宽带宽、全差分输出可编程增益仪表放大器 |
| Package | VQFN-16-EP(3x3) |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.00072 |
| Category | InstrumentationAmplifiers |
|---|---|
| Stock | 2 |
| 放大器数 | 单路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 500pA |
| 压摆率(SR) | 35V/us |
| 轨到轨 | 轨到轨输入 |
| 静态电流(Iq) | 3mA |
| Operating Temperature | -40℃~+125℃ |
| 输入失调电流(Ios) | 500pA |
| 单电源电压 | 8V~36V |
| 电源纹波抑制比(PSRR) | 126dB |
| 功能特性 | 数字编程增益； 过压保护； 集成ADC驱动器 |
| 增益误差 | 0.03% |
| Part Number | PGA855RGTR |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | InstrumentationAmplifiers |
PGA855RGTR Overview
Low-noise, wide-bandwidth, fully-differential-output programmable-gain instrumentation amplifier
PGA855RGTR Features
- 八个引脚可编程二进制增益， G (V/V) = 1/8、¼、½、1、2、4、8 和 16
- 低增益误差温漂:G = 1V/V 时为 1ppm/℃（最大值）
- 全差分输出， 独立输出电源引脚可提供 ADC 输入过驱保护
- 输出共模控制
- 宽带宽:在所有增益下均为 10MHz
- 高压摆率:35V/μs
- 稳定时间:500ns 至 0.01%， 950ns 至 0.0015%
- 输入级噪声:G = 16V/V 时为 7.8nV/√Hz
- 可通过滤波器选项实现更好的 SNR
- 在超过电源电压多达 ±40V 时提供输入过压保护
- 输入级电源电压范围:单电源 8V 至 36V， 双电源 ±4V 至 ±18V
- 输出级电源电压范围:单电源 4.5V 至 36V， 双电源 ±2.25V 至 ±18V
- 额定温度范围:–40℃ 至 +125℃
- 小型封装:3mm × 3mm VQFN
PGA855RGTR Applications
- 工厂自动化和控制
- 模拟输入模块
- 数据采集 (DAQ)
- 测试和测量
- 半导体测试