OPA2383DGKR
Self-operatedAvailable
IC
VSSOP-8
OPA2383DGKR
Dual, zero-drift, micropower (65μA), high speed-to-power ratio (2.5MHz) RRIO operational amplifier
Brand
TI
Package
VSSOP-8
Lead Time
In stock
Date Code
Within 2 years
OPA2383DGKR Parameters
| Package | VSSOP-8 |
|---|---|
| Brand | TI |
| Date Code | Within 2 years |
| 放大器数 | 2 |
| 输入失调电压(Vos) | 400nV |
| 增益带宽积(GBW) | 2.5MHz |
| 压摆率(SR) | 1V/us |
| 输入电压噪声密度(eN) | 32nV/√Hz@1kHz |
| 静态电流(Iq) | 65uA |
| 输入失调电流(Ios) | 20pA |
| 功能特性 | EMI滤波/RF抑制； 零漂移/自动稳零 |
| Category | Precision Op Amps |
|---|---|
| Stock | 859 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 单电源电压 | 1.7V~5.5V |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 4nV/℃ |
| 轨到轨 | 轨到轨输入, 轨到轨输出 |
| 共模抑制比(CMRR) | 135dB |
| 输入偏置电流(Ib) | 10pA |
| OutputCurrent | 28mA |
| Operating Temperature | -40℃~+125℃ |
OPA2383DGKR Overview
Dual, zero-drift, micropower (65μA), high speed-to-power ratio (2.5MHz) RRIO operational amplifier
OPA2383DGKR Features
- 极低的直流误差与温漂：400 nV 的失调及 4 nV/℃ 的温漂使其在精密测量、低频放大与传感前端应用中能够显著降低校准频次与温度相关的漂移误差。
- 高速‑功耗比：2.5 MHz 的 GBW 在 65 μA 的功耗条件下提供良好的带宽， 适合需要中等带宽与长电池寿命的系统。
- 轨到轨输入/输出：扩大了在低电源电压与单电源系统中的输入/输出摆幅， 便于直接接口传感器与 ADC。
- EMI/RF 抑制与零漂技术：内建抗 EMI 机制与自动稳零架构， 可减少由环境干扰或开关噪声引入的误差， 提升在实际系统中的鲁棒性。
OPA2383DGKR Applications
- 便携式与电池供电的测量仪器：低功耗与 RRIO 特性适合低电压供电场合。
- 精密传感器前端：温度传感、压力、应变计桥路放大、热电偶放大器等需要低失调与低漂移的场合。
- 数据采集与精密 ADC 驱动：降低前端误差， 提高整体系统精度。
- 工业控制与过程测量：宽温度范围与高 CMRR 对抗共模干扰能力突出。