NVB190N65S3F
IC
D2PAK
AvailableNegotiable
NVB190N65S3F
NVB190N65S3F is a onsemi MOSFETs(MOSFET) in D2PAK package.
Brand
onsemi
Package
D2PAK
Stock
1
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In stock
NVB190N65S3F Parameters
| Package | D2PAK |
|---|---|
| Brand | onsemi |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 耗散功率(Pd) | 162W |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 32pF |
| Product Name | 1个N沟道 耐压:650V 电流:20A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 1 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 输入电容(Ciss) | 1.605nF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
| Part Number | NVB190N65S3F |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 0.00211 |
NVB190N65S3F Overview
SUPERFET III MOSFET是安森美半导体全新的高压超结(SJ)MOSFET系列, 采用电荷平衡技术, 具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。 这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗, 提供卓越的开关性能, 并能承受极高的dv/dt速率。 因此, SUPERFET III MOSFET非常适合各种追求小型化和更高效率的电源系统。 SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化, 具有良好的反向恢复性能, 可减少额外元件的使用, 提高系统可靠性。
NVB190N65S3F Features
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 158 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 34 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff. ) = 314 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 通过AEC
- Q101认证
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
NVB190N65S3F Applications
- 汽车车载充电器
- 混合动力汽车(HEV)的汽车DC/DC转换器